在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，半導(dǎo)體行業(yè)作為支撐各種高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石日益引人關(guān)注。而在這一眾多關(guān)鍵技術(shù)中，光刻技術(shù)無疑是其中的佼佼者，其影響力和重要性不可小覷。

從最初的簡(jiǎn)單投影到如今復(fù)雜精密的微細(xì)加工過程，光刻技術(shù)已經(jīng)成為了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域里至關(guān)重要且不可或缺的環(huán)節(jié)。它通過將芯片上電路圖案“拷貝”到硅片表面來實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓進(jìn)行精確加工，并直接決定著芯片功能、性能乃至整個(gè)產(chǎn)品生命周期。

然而，在新一輪科技革命浪潮下，隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等前沿應(yīng)用需求迅速增長(zhǎng), 傳統(tǒng)光刻設(shè)備所面臨挑戰(zhàn)也愈發(fā)凸顯：尺寸趨向極限使得更高分辨率與更大曝光范圍之間需要取舍；功耗問題逐漸突出；同時(shí)還有由于器件結(jié)構(gòu)變復(fù)雜帶來特殊形貌處理方面存在明顯局限等。

因此，在這樣一個(gè)背景下，“多模式深紫外（EUV）”成為了當(dāng)前國(guó)際集中探索和競(jìng)相攀比以提供解決方案的焦點(diǎn)之一?！?nm以下制程節(jié)點(diǎn)只有EUV才具備商用條件”， 華爾街見聞指出道 。據(jù)介紹,EUV 相較于目前常規(guī) ArF 晰境鏡版本 (193 nm) 的優(yōu)勢(shì)主要包含三個(gè)方面:第一是可以獲得非常好地分辨率; 其次是糾偏效果十分理想; 最后就是艇島效應(yīng)被剝離。(以上內(nèi)容來源網(wǎng)絡(luò))

雖然中國(guó)近年來開始積極布局自主研發(fā)及推動(dòng)本土企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域并取得階段性成功,但令人憂心忡忡地看到我們距離頂級(jí)水平依舊存在巨大鴻溝 ， 能否走出完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)路徑？ 是否會(huì)又演變成"核心雕玲瓏 外廓毛坦厚" 等待時(shí)間考驗(yàn)(參考文匯報(bào))?

總言之, 在未來數(shù)十年內(nèi) , 高端先進(jìn)裝備市場(chǎng)互聯(lián)網(wǎng)信息量爬滿天涯海角. 行百里者半九十. 只有始終保持敢問若何 創(chuàng)新永無止境 才可能真正立穩(wěn)腳根 迎風(fēng)奮勇 否則徘徊原處 或讓他山俱峻 展示遺憾!